Abstract
本實驗共分成兩部分，第一部份為鈀導電界面性質探討，第二部份則為管柱內雙電極安培偵測法的研究，詳細情形分述如下：(一) 鈀導電介面性質探討：2001年，本實驗室發表了利用鈀為導電界面的壓克力電泳晶片文獻，但當時因無法做出大小一致的通道，所以並未對鈀膜的性質作進一步的探討。如今因通道製作技術的進步，我們獲得了通道大小一致的電泳晶片，利用這些晶片，我們得以探討鈀膜在許多常用的電解質溶液下所能承受的電場極限；此外，我們亦加入了鈀膜厚度、通道大小等變因，得到了一系列的資料，作為後續電化學實驗參數選擇的依據。(二) 管柱內雙電極安培偵測法探討：這部份實驗中，我們發現了雙電極模式(上游氧化、下游還原)下，分析物氧化訊號比單一電極(施加氧化電位)所得氧化訊號來的大，排除分析物回流的可能性後，我們假設在這系統中有電子跳躍發生的可能，並以幾個實驗所得結果做為佐證。另外，我們亦證明了管柱內電極的庫倫效率以及收集效率比工作電極擺設於管柱外的偵測方式來得佳，這對於偵測較低濃度的分析物，將是一項有利的因素。