Abstract
對於離子佈植的矽晶片，利用快速加熱退火來活化雜質，減少佈植傷害與雜質擴敵，使晶片再結晶。使用拉曼散射與穿透式電子顯微鏡來檢查結晶情形。雜質分佈圖可由拉瑟福散射與展阻測量得到。電性測量則是片電阻，移動率、載子濃度。對硼雜質，在電子顯微鏡照片，觀察到「氟氣泡」。雜質分佈圖接近高斯（Gaussian）分佈。對砷雜質，當溫度提高，分佈圖趨向且克雪夫（Chebyshev ）分佈，顯示在高溫有多種擴散型態存在。最後，空晶格會加強砷雜質的擴散。
- Title
- 快速加熱退火
- Translated title
- 快速加熱退火
- Creators
- 黃國書 (Author)
- Contributors
- 葉鳳生 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English