Abstract
我們使用快速熱蒸鍍法製作各種不同的 InxSbyTe1-x-y 三元合金薄膜，由 TEM 及 X-ray的分析，我們發現初鍍膜是非晶相和極細小的晶粒二者共存，藉著不同溫度的退火，使薄膜達到均質化的目的，450oC 退火後，我們發現薄膜有汽化、變薄及消失的現象，所以我們把退火溫度控制在350oC 以內。我們發現一些濃度在熱處理後，反射率明顯變化很大。造成反射率變化的主因我們認為是 In2Te3 及 Sb 二相的生成。且InxSbyTe1-x-y三元合金的吸收係數，在熱處理前後都很大，約為107 ~108 cm-1，因此在寫擦時可增加寫擦效果。由 DSC 的分析，我們發現熱蒸鍍所鍍的薄膜，相轉變溫度都偏高 ( 350oC 以上 )，我們認為和初鍍膜是極細小的晶粒有關。由 TEM 分析薄膜的晶粒大小，我們發現熱處理後，只有In - InSb - In9Te7 相區，晶界明顯且晶粒大小約為試片的2 ~ 3 倍大。