Abstract
在本論文中我們製造了一種應用快速褪火製程與類似低量汲極金氧半場效電晶體的元件。這種被我稱之為RSLDD 的元件具有０．９４微有米的有效閘極長度與相當好的電流對電壓特性曲線。在本製程中，只需一次快速褪火即完成了雜質的活化，硼磷摻雜二氧化矽的流動褪火以及摻雜的驅入等三種作用。同時，快速褪火後的雜質湛度曲線將呈現出類似高斯分佈的情形因而產生一個較小的電位梯度使得熱子效應得以減低。對於電性的量測而言，我們測得了這個元件的起始電壓，崩潰電壓，表面移動率，基體電流，基體效應因數，有效閘極長度以及在長時間偏壓後的起始電壓漂移及互導衰退。實驗結果顯示砷摻雜元件在長時間偏壓後幾乎無衰退現象。在本文中我們同時也拍了些掃瞄式電子顯微鏡照片以決定橫向擴散與縱向擴散長度的比例。