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快閃記憶體寫入暨抹除方法改善與模擬分析
Thesis

快閃記憶體寫入暨抹除方法改善與模擬分析

陳彥州
Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
2004

Abstract

快閃記憶體 寫入 抹除 新方法 FLASH memory programming erasing
本篇論文主要分為寫入與抹除兩部份來討論。 寫入重點放在新方法的最佳化與改良,主要是利用源極和汲極做入射與收集動作,以期操作偏壓可以下降但卻仍保有一定速度,但這種方法缺點在於需要一個額外的外部電路提供所需的入射與收集的波形。分別比較速度,可靠度等電性量測及分析,再者用2D元件模擬軟體Medici作一驗証,了解此法運作的過程與物理機制。 至於抹除方面則是著重於穿隧效應所帶來影響的討論,與元件不對稱對抹除速度、可度的作用,以期找到更快更合適的抹除方法與條件。

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