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快閃記憶體新寫入方式與模擬分析
Thesis

快閃記憶體新寫入方式與模擬分析

羅俊元
Masters, National Tsing Hua University
2002

Abstract

快閃記憶體新寫入方式元件模擬 Flash MemoryNew Programming MethodSimulation
本篇論文提出了一個新的寫入方式,稱為方法(A),此方法為將源極接面順偏,使得電流密度增加,進而注入電流密度也會增加,實驗結果發現寫入速度比通道熱載子注入法快了約10倍,此方法的缺點為基板漏電流太大。 利用2D元件模擬軟體-Medici分析,發現此方法注入電流較大的原因為:電流密度的分佈與注入機率密度的分佈重疊面積較大,兩者相乘之下,使得注入電流密度比通道熱載子注入法大,所以寫入速度較快。 本篇論文也針對源極抹除與通道抹除作一比較,比較的項目有:臨界電壓的偏移、抹除速度、氧化層接面陷住電荷的多寡,結果發現本實驗樣是比較適合源極抹除,其抹除速度較快,臨界電壓在施加應力後,臨界電壓的偏移量較小,汲極接面的Not量也比較小,傷害多半集中在源極接面。

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