Abstract
快閃記憶體在經過多次的操作之後，主要的元件損害都集中在熱載子穿越氧化層的過程中發生，當元件使用越久之後，在氧化層的傷害便越來越多，如此電子穿不過氧化層到達懸浮閘極，便無法達到最基本的記憶體要求，資料保存，而元件也宣告損壞，因此本篇論文的構想是以現有的操作機制為基礎，從而發展出一種新的操作模式，以期能對元件的可靠度及電性方面有所改善，經由實驗數據的說明，可以清楚的發現，本方法靠著比較大的閘極電流，不僅能有效改善元件的操作速度，而且對元件的可靠度，如氧化層的傷害、臨界電壓的飄移、電流的衰減等等，都較傳統的熱電子注入為佳，不足的部分即是在干擾的表現上並沒有很明顯的改進效果。 另外一部份就是和通道熱電子注入方法類似，元件也適用於二階段擦拭法的應用，此時的第二階段寫入主要是採偏壓較小的新方法形式一樣對元件的開口萎縮有一定程度的貢獻，此外可以發現此新的方法對元件通道長度及寬度並沒有很大的依賴性，從寫入時間並沒有很明顯的趨勢可看出此一結論，由於這個方法主要是靠汲極和基極的接面產生的大量載子來操作，此現象亦屬合理範圍。