Abstract
由石油危機以來, 人類對能源的問題開始覺得重要. 尋求一種替代性能源來源是一件刻不容緩的事. 然而人類對於環境污染的問題也日益嚴重,所以此種替代性能源必需是零污染的. 於是人們想到了太陽電池. 太陽電池是一種可以將光能轉換成電能的機構.在此我們提出了一種新的方法, 新的材料來做太陽電池的吸收層 . 我們使用了REACTIVE SPUTTERING 的方法來做. 利用磁控濺鍍的方法濺鍍CuInGaS2的合金靶, 同時通入H2S 氣體在基板反應形成CuInGa S2薄膜.有了此一構想, 我們建了一套REACTIVESPUTTERING 的系統, 也對出來的薄膜作了XRD 的分析. 發縣可以得到(112)方向的chalcopyrite結構的薄膜在28.242度到29.121度之間. 對於surface morphology我們也作了SEM 的相片, 可以看出表面不平整且grain size 相差極大,對於element composition 的一些分析我們使用Auger depth profile的方法來探測化學組成在每一層的關係, 發現在薄膜中會有組成變化的情形發生, 我們也提出了一個成長的model 來解釋此一變化. 對於能階的量測我們使用near infared absorption spectum 來量測, 發現其bandgap 在1.84 eV 到1.97 eV 之間, 對於一種高效率的tandem cell 來說,極適合三個cell堆疊在一起,且bandgap為1.0eV,1.6eV和 2.0eV 的應用.