Abstract
射頻前端電路的傳收器包含了接收器(Receiver)和傳送器(Transmitter)，其中包括天線、濾波器（Filter）、低雜訊放大器（Low-noise Amplifier，LNA）、混波器（Mixer）、功率放大器（PA）、合成器(Synthesizer)、A/D與D/A 轉換器(Converter)。在以前的射頻前端電路設計中，較常被使用的有GaAs、Bipolar或BiCMOS等製成技術。然而著科技的日益進步，低成本、高效能、高整合度的製程技術已成為未來發展的趨勢，而現今又已CMOS與SiGe HBT兩套製成最為熱門。CMOS具有與後級數位電路高度的整合以及低成本的優點，使得嚴然成為現今市場上的主流。而SiGe HBT以優良的performance在許多高階產品中也受到相當的重視。而本次論文就是以這兩套先進製成同時設計一個符合WCDMA規格的低雜訊放大器。從整個RF雜訊原理為出發，以最低雜訊設計為基礎，從元件的選取、輸入與輸出網路的匹配、S參數的模擬、線性度的考量到偏壓電路的設計，並且實際送件並進行量測，將這兩種製成做一個完整的設計流程，並且對在做低雜訊放大器時所有的技巧與遇到的問題做討論與分析。電路架構上採用差動(Differential)設計，並且為了後級電路在線性度上的要求，採用雙模式的增益切換電路，以達到整個系統的規格需求。最後晶片在PCB板上做差動的量測，並做比較以討論兩套製成的優缺點以及其設計上的差別。