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應用於WCDMA高增益高線性度混波器分析與設計
Thesis

應用於WCDMA高增益高線性度混波器分析與設計

許程琳
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2003

Abstract

矽鍺 混波器 線性度 SiGe mixer linearity
本論文中主要針對直接降頻接收器(Direct-Conversion Receiver)架構中混波器進行設計與研究,並透過對元件特性的研究、電路的分析以及頻率的轉換原理來增進此架構中混波器的效能,降低因直接降頻所造成對訊號的干擾。並藉由CIC以及實驗室RFIC高頻量測系統來進行電路特性的量測。 在混波器的設計方面,我們採用TSMC 0.35um BiCMOS以及TSMC 0.18um CMOS的製程。電路架構以Gilbert Cell為主體,再加上一些電路的變化來達成WCDMA系統中的規範。 0.35um BiCMOS混波器設計,在射頻輸入2.14GHz,低頻1MHz的操作狀態下,混波器雙端輸出的模擬結果得到13.83dB的轉換增益,2.665dBm的IIP3值,9.88dB的雜訊指數。整個電路在3.3V的偏壓下,共消耗了14.766mA的電流,其中主體電路(包含偏壓電路)消耗7.684mA的電流,其餘均為偏壓電路及Buffer所消耗。 0.18um CMOS混波器設計,在射頻輸入2.14GHz,低頻1MHz的操作狀態下,混波器雙端輸出的模擬結果得到11.44dB的轉換增益,4.92dBm的IIP3值,13.78dB的雜訊指數。整個電路在1.8V的偏壓下,共消耗了19.012mA的電流,其中主體電路(包含偏壓電路)消耗12.681mA的電流,其餘均為偏壓電路及Buffer所消耗。

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