Abstract
氮化矽薄膜是一種常用於矽太陽能電池的抗反射材料，但其只對固定頻寬內的有限波長具有低反射率。在本實驗中，我們發展了一種簡單而且適合大面積製作的方法，製作次波長結構寬頻抗反射層。首先以850 °C、60秒的快速退火使8 nm的鎳薄膜分裂成奈米遮罩，產生的奈米遮罩平均直徑約90 nm，密度約109 cm-2；其次利用CF4/O2電漿對氮化矽進行蝕刻，形成奈米柱並控制其高度；最後利用Ar電漿對鎳遮罩和氮化矽進行蝕刻，形成奈米錐。由控制CF4/O2電漿及Ar電漿的蝕刻時間比，我們製作出一系列具不同高度和形狀的氮化矽奈米結構。本實驗中，最佳的CF4/O2電漿及Ar電漿的蝕刻時間分別為100及90秒，所製作出的奈米錐陣列次波長結構抗反射層使波長300□1000 nm的平均反射率下降到3.11%。相較於氮化矽單層抗反射鍍膜，奈米錐陣列次波長結構抗反射層可以降低短波長300□600 nm的反射率。