Abstract
隨著資訊科技的發達，硬碟必須朝向高積集度發展，以符合高容量、易攜帶的需求，面對此一需求，隔絕磁阻感測元件（Magnetic Resistance sensor）與遮蔽層（Shield layer）間的絕緣層將扮演重要的角色；此絕緣層須有低漏電流、高崩潰電場及良好的熱傳導特性，以確保所需的SN比(signal to noise ratio)及磁阻感測元件的穩定性。 本實驗即致力於磁控射頻濺鍍氮化鋁薄膜研究，希望得到具有高絕緣性質及良好熱傳導性質的氮化鋁膜，取代目前使用中的氧化鋁薄膜。 為研究氮化鋁薄膜型態與絕緣性質及熱傳導性質間的關係，本實驗利用X光繞射儀、場發射掃描式電子顯微鏡（FESEM）、傅利葉轉換紅外線吸收光譜儀(FT-IR)、拉塞福背向散射分析儀（RBS）、α-step、KEITHLEY Model 236/237 Source-Measure Units及HP-4192A等分析及量測儀器，討論氮化鋁薄膜之材料性質與絕緣性質與腐蝕性質間的關係。 經實驗後發現，氮化鋁薄膜之絕緣主要受優選方向及氧含量影響。藉由控制鍍膜條件，成長出不同結晶型態（(100)、(002)、多晶及非晶質）的氮化鋁薄膜，量測其I-V後發現，C軸取向、氧含量多的氮化鋁薄膜，有較佳的絕緣性質。而腐蝕性質則是非晶質最耐腐蝕，其次是(100)軸向及多晶，腐蝕最快的是(002)軸向。 其他更細部研究，例如熱傳導性質等，則將陸續進行，希望能提供工業界真正應用此材料時，有更多的參考資料。