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應用於氮化鎵金屬氧化物半導體場效電晶體掘入式閘極研究
Thesis

應用於氮化鎵金屬氧化物半導體場效電晶體掘入式閘極研究

廖雅竹
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2015

Abstract

氮化鎵 場效電晶體 閘極 掘入式 水平式 GaN FET gate recess planar
因申請專利緣故,資料延後公開

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