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Thesis
應用於氮化鎵金屬氧化物半導體場效電晶體掘入式閘極研究
廖雅竹
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2015
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Abstract
氮化鎵
場效電晶體
閘極
掘入式
水平式
GaN
FET
gate
recess
planar
因申請專利緣故,資料延後公開
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Title
應用於氮化鎵金屬氧化物半導體場效電晶體掘入式閘極研究
Translated title
應用於氮化鎵金屬氧化物半導體場效電晶體掘入式閘極研究
Creators
廖雅竹
Contributors
黃智方 (Advisor)
Awarding Institution
國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language
English
Resource Type
Thesis
Date published
2016
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