Abstract
在本論文中，除了介紹基本快閃記憶體的操作原理，也將利用模擬的方法，進一步改善快閃記憶體的操作性能，主要可分成二大部分。 第一部份：主要針對矽化鍺於基底的應用，首度提出以矽化鍺為P通道快閃記憶體的表面通道，以提高帶對帶穿隧引發熱電子注入(Band-to-band tunneling-induced hot carrier injection, BBHE)的速度，並於模擬結果發現，當鍺含量達80％時，其BBHE的寫入速度可在相同操作偏壓下，被提高超過1000倍；另外為了改善矽化鍺與二氧化矽之間的不良介面特性，單晶矽層(Si-cap layer)被引入於矽化鍺與二氧化矽之間，但單晶矽層的引入卻造成，原本利用矽化鍺提高的BBHE寫入速度下降。 第二部分：將一些低跨越能障的材料，如二氧化鉿，一起應用於矽化鍺通道的P型快閃記憶體上，並討論其工作特性，由模擬結果發現，矽化鍺通道與低跨越能障的結合，比個別利用低跨越能障或矽化鍺通道改善BBHE的寫入速度，都來的快。