Abstract
在論文中我們將考慮清潔的砷化鎵之理想表面及旋轉鬆弛後之表面，在此我們採用原子群模式其大小為２３０６個原子來模擬巨大的晶體，對於理想表面則可將巨大晶體之原子群由（１１０）平面加以切割既可得到所要之理想表面之原子群模式而鬆弛表面之結果與理想表面相同除其表面原子座標不同外；關於巨大晶體，理想表面及鬆弛表面之局部能態密度將運用高斯鬆弛法以計算之，此方法是由格林函數加入高斯函數後所得之聯立微分方程之結果，此方法之參數可由比較虛擬位能法所得結果與緊密結合法所得之結果而求出，在此我們亦將考慮電子之自旋與軌道間之交互作用以期能更精確求出局部能態密度。在本論文中我們亦採用局部虛擬位能法計算能帶結構但由於其結果並非很精確，因此我們在此僅作簡略之討論，如果要得到精確之結果則必需以非局部虛擬位能法或以自適之虛擬位能法來計算其能帶結構，從我們計算出來的結果中發現表面之下陷角度將介於２７與３１度之間，此結果與紫外線散射頻普（UPS ）所得之結果十分相似，同時我們亦發現當表面之下陷角度達２５度時於本質能隙間將不存在任何能態；於理想表面我們亦發現在本質能隙間存在兩個非常強烈之能帶而此能帶將隨鬆弛角度之增加而逐漸往價電子帶及傳導帶移動，並由所計算出之靜電荷之分佈得知當表面鬆弛一個角度後其庫倫能將減少。