Abstract
半導體表面能態結構的探討是理論上感興趣之事物，在實際應用上也有其重要性，因為表面之結構對半導體之物性及表面介面有重要之影響，此論文利用高斯鬆弛法來研究銻化銦晶體大圓球中心，理想半圓球表面及六種不同傾斜角度w=15度，25度，２７度，２９度，３２度，３５度表面的能態密度，由所求出之圖形，我們可以了解在不同幾何模形下其能態密度圖形有何變化，我們所用方法在大圓球之晶體包含２４２５個原子，在表面方面則包含２３０６個原子為半個圓球，此方法之矩陣乃是利用緊密結合法而得，緊密結合法其精確與否完全決定於矩陣元素之參數，不同的參數會有不同之結果。我們所用之參數是採用Chadi 所求出來的數值。此論文主要只討論S，P原子軌道函數，而且忽略第二鄰近原子軌道之交互作用，利用以上之限制可使問題簡化而且可得到幾乎正確之價能態密度，利用此高斯鬆弛法我們觀察到在理想表面模形有表面的能態存在能隙中，但在傾斜表面模形中，此表面能態已從能隙中移開。我們可利用此高斯鬆弛法來研究非週期性晶體（如表面，傾斜表面，雜質）之能態密度，此法求銻化銦之能態密度，所須要之計算機時間較少，而且可很容易地更改程式求得雜質在表面之能態密度。我們也利用局部實驗虛擬位能法研究鍺及銻化銦的能帶結構，與緊密給合法求得之結果做一互相比較。