Abstract
本論文主要在研究如何製作一個奈米級（10-9m）的微橋（free-standing）結構，在利用了原子力顯微鏡AFM(Atomic Force Microscopy)微影和溼式蝕刻（Wet Etching）的方法，以及電子束微影（E-Beam lithography）和溼式蝕刻（Wet Etching）、乾式蝕刻（Dry Etching）來製作懸浮橋的機械共振結構。以AFM微影製作懸浮橋的奈米結構時，需要注意氧化方塊之間的距離，如果太寬（μm）則不容易製作成懸浮橋，太窄（0.1nm）懸浮橋會斷掉。以AFM微影製作懸浮橋結構，可以知道氧化高度和溫度、溼度有關。以E-Beam lithography製作懸浮橋，Dosage過大會造成pattern過於膨脹，微橋的間距過短，若Dosage過小則會造成未完全將光阻（PMMA）曝光完，微橋的間距過大。樣品1表面容易因蝕刻而剝離，溫度控制不佳、蝕刻時間過久等因素。改善方法是將樣品表面的Si3N4加厚，可以抵擋KOH蝕刻Si和HF蝕SiO2樣品2的懸浮橋比較容易塌陷，改善方法是將Si的厚度加厚至2000Å可以使懸浮橋不易塌陷，或者將底下的SiO2厚度也加深至4000Å。我們再利用乾式蝕刻來確定蝕刻Si薄膜的變因，所遇到的困擾是光阻太薄很容易一下子就將光阻完全打穿，改善方法是將光阻鋪厚至少5000Å最後我們發現其實AFM微影或E-Beam lithography方法製作懸浮橋的奈米結構，兩者是相輔相成的。