Abstract
現在半導體工業中,以silicon基板為基礎之元件已經發展到一定成熟地步. 但是受限於其原有的能帶結構, 並沒有很大的發展. 而GexSi1-x應變層材料所具備異質接面特性可以應用於高速元件製造應用於量子結構,則可以產生發光特性. 所製造出來的元件以經能漸漸追上化合物半導體元件. 現有silicon 製程也可以用於這種材料. 這些優點都使GexSi1-x應變(strain) 材料成為一重要的半導體材料.而現在要製造GexSi1-x材料有很多種方法, 包括MBE,UHVCVD,CBE. 本篇論文在討論化學氣相分子束磊晶系統的設計, 建造, 等等. 並使用此型儀器嘗試先行成長silicon 沉積薄膜.第一章首先說明GexSi1-x材料特性以及元件方面之應用, 再來簡略說明CBE 系統之優點以及和其它各種儀器之比較, 並稍微說明CBE 系統成長機制第二章說明CBE 系統設計考量. 有關系統真空, 材料, 所須各項儀器規格, 參數, 以及毒氣偵測設備.第三章第四章我們將說明如何選擇我們儀器的材料, 設計真空系統,氣體管件材料選擇以及設計管路, 如何清洗管件, 以及管件氣漏測試等等控制系統我們將說明如何自行設計並製造氣動閥控制系統, 質量流量計控制系統各項設備和控制電路. 最後包括毒氣偵測設備操作原理以及控制方式.第五章將說明我們如何使用CBE系統去粗略成長silicon 薄膜.第六章將說明結果以及討論, 其中我們使用Shiroki method清洗表面並於700C去除氧化層以沉積.並用SEM照片檢試結果.第七章 結論