Abstract
摘要 本實驗的目的是為了使類鑽石做選擇性的成長，所以首先對成長於基材Si(100)與氮化矽的非晶質碳氫膜作物理性質的比較。在分別經過強酸溶液蝕刻，高溫爐氧化處理，以及快速褪火處理後。發現於基材Si(100)有類鑽石薄膜存在；相反的在氮化矽基板上類鑽石薄膜卻不易存在。另外對強酸溶液蝕刻的程度，非晶質碳氫膜對基材Si(100)的附著力比氮化矽基材優異。這些條件很適合類鑽石薄膜選擇性的成長，可是使類鑽石做選擇性呈現時，嘗試用兩種方法，都遇到一些瓶頸。其一是強酸溶液蝕刻，發現成長於矽與氮化矽的非晶質碳氫膜同時剝落，其二是高溫爐氧化處理，其薄膜表面的變化有相似的地方，所以無法很明確的決定選擇性成長的條件。