Abstract
氮化鎵是一種Ⅲ-Ⅴ族發光材料，最具代表性與實用性的應用在於藍光發光二極體及雷射二極體之上，而要製照高亮度的氮化鎵發光元件所需的磊晶層有三個關鍵技術需克服，分別是緩衝層(孕核層)的磊晶、p型半導體摻雜及氮化銦鎵多量子井的製作.。 本論文研究的主題是以電子顯微鏡觀察不同成長溫度對氮化鎵孕核層磊晶的影響，成長溫度分別是500℃、560℃、600℃和650℃，成長完孕核層之後在氮氣氣氛下於1100℃退火三分鐘，研究發現成長溫度及退火行為會影響氮化鎵孕核層的成長行為。至於後續再成長2μ厚度的氮化鎵磊晶層而言，磊晶層內的差排密度約為 ~ 109cm-2，而差排的布格向量與成長溫度無關且均為刃差排，當差排線垂直於基板與磊晶層界面時其布格向量為 b=1/3<11-20>，若差排線平行於兩者界面其布格向量則為b=1/2<0001> ，其餘者的布格向量為 b=1/3<11-23>。實驗結果發現低溫孕核經過退火之後再成長之磊晶層其差排密度有下降之趨勢，故製程上以低溫孕核為優先考慮。