Abstract
本論文是利用掃描探針顯微儀，研究以化學氣相沉積法製備摻雜了硼的鑽石薄膜表面型態與局部區域的場發射特性，用原子力顯微儀測量發現，此p型半導化鑽石薄膜的表面形態相當粗糙，隨著成長時間的改變，有晶面出現，其中最特別的是有五角形的顆粒。在掃描範圍3μmx3μm的大小下，表面的高低差約200~300nm。用掃描穿隧顯微儀測量發現，不是每個顆粒都有場發射行為，有的在高電場下仍是沒有場發射出現。真空中場發射的有效功函數是02.~0.5eV，起始電場大約100~300V/um，比二極法的量測結果要大。在穿隧範圍（STS）測的1-V圖對其做微分可以得到dI/dV-V圖，共有三個峰，兩個較大的峰之間約差5~6V，與鑽石的能隙近似，在負電壓的兩個峰相差約1~1.3V，可能與能帶彎曲有關。在電流影像穿隧能譜（CITS）的影像中，可見到在顆粒邊緣有較大的電流。當做CITS或STS時，若加較大電壓，鑽石膜上會出現小顆粒，可能是高電壓導致其結構的改變。