Abstract
目前對於ZSM-5觸媒在進行對二乙基苯岐化製程時，利用水蒸汽及矽-氣相植入法雙重修飾時，可大幅提高對二乙基苯之選擇率並維持觸媒相當之活性，使其選擇率為98%，產率可達約10%；另一方面此修飾方法對於對於甲苯歧化反應可達到相當高之修飾效果，使其對二甲苯選擇率高達95%以上；但對於目前之修飾方法是否已達最佳的修飾條件仍有待觀察研究。 本研究以進行改良Si-氣相沈積的修飾方法，找尋最佳的修飾條件。目的在不影響觸媒內部活性的同時亦提高了對二乙基苯的選擇率，本研究目前以化學氣相沉積法（CVD）為主，鹼分子毒化法（Poisoning）為輔來修飾H-ZSM-5觸媒，以進一步提高對二烷基苯之選擇率，來進行甲苯及乙基苯的歧化反應，及來找尋對二乙基苯與對二甲苯選擇率之相關性。 混合SI-CVD修飾法與鹼分子毒化法來進行觸媒的修飾，是以競爭吸附的觀點，使觸媒在固定床反應器的不同部位都可以獲得較均勻的修飾，以解決原先單獨使用SI-CVD修飾法時，固定床中入口處與出口處修飾程度不同的問題。另將觸媒以SI-CVD修飾法進行初步修飾，待修飾至一定程度後，接著再使用鹼分子修飾法以階段式(PULSE)方法或以微量持續進料方法進行微調（FINE TUNING），逐漸毒化初步修飾後遺留下的外表面酸性活性中心，以提高觸媒選擇性。並嘗試利用其它有機金屬化合物來進行修飾反應，追求新的修飾方法，以其獲得突破性的發現。