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探討不同表面處理對水平式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體介面缺陷之影響
Thesis

探討不同表面處理對水平式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體介面缺陷之影響

張祐瑄
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2017

Abstract

氮化鎵 電晶體 介面缺陷 表面處理 GaN MOSFET Interface-trap Surface-treatment TMAH Digital-etch
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