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Thesis
探討不同表面處理對水平式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體介面缺陷之影響
張祐瑄
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
2017
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Abstract
氮化鎵
電晶體
介面缺陷
表面處理
GaN
MOSFET
Interface-trap
Surface-treatment
TMAH
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Title
探討不同表面處理對水平式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體介面缺陷之影響
Translated title
探討不同表面處理對水平式閘極氮化鎵金氧半場效電晶體介面缺陷之影響
Creators
張祐瑄
Contributors
黃智方 (Advisor)
Awarding Institution
國立清華大學, 電子工程研究所; Masters
Theses and Dissertations
Masters, 國立清華大學, 電子工程研究所
Language
Traditional Chinese
Resource Type
Thesis
Date published
2018
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