Abstract
本實驗以原子層化學氣相沉積法(Atomic layer chemical deposition, or ALCVD)鍍製高介電薄膜，因ALCVD具有極佳的厚度控制能力、均勻覆蓋能力以及低鍍膜溫度等優點，為許多鍍製超薄膜方法中最具吸引力的。在鍍製Al2O3和HfO2時採用TMA (Trimethylaluminum)作為Al的先趨物，TEMAH (tTetrakis(ethylme))作為Hf的先趨物，兩者皆以H2O作為氧化劑。 本實驗使用MIM(Metal-Insulator-Metal)電容結構，以避免MIS (Metal-Insulator-Silicon)結構於介面形成SiO2而降低電容值的問題。使用的兩種底電極為經In-situ表面電漿處理過Pt基板及TiN基板，採用Au-Ti為上電極。本實驗研究重點在於利用ALCVD鍍製三種不同薄膜結構:分別為(HfO2/Al2O3)*3、HfAlOX及純HfO2結構薄膜，當中HfO2與Al2O3的成分比皆為2:1，薄膜厚度為7.2nm。探討不同結構薄膜電容以及熱處理溫度對電性的影響與研究。