Abstract
現今一般IC的製程中，是將CMOS元件製作於Si(100)的晶片上，被稱為bulk-Si CMOS元件。但是有兩個嚴重的問題始終存在於這樣的bulk-Si CMOS元件中：（1）寄生電容，（2）Latch-up問題。 為了解決上述這兩大問題，CMOS元件的設計與製程會越來越複雜，所以將增加元件的成本。然而，有個不錯的方法可解決上述兩個大問題，就是將CMOS元件設計並製作在Silicon-on-Insulator（SOI）基板上，可以減少寄生電容、增加元件運算速度、減少功率耗損、及消除Latch-up問題。 在過去有幾種製造SOI晶片的方法，其中以SPIMOX製程最為經濟，它最主要的三個優點是：（1）氧佈植濃度較高。（2）製程時間較短。（3）儀器價格較便宜。因此即使SPIMOX製程仍在發展階段中，但相信不久就會漸漸在SOI晶片製程中，扮演重要的角色。 但是，要好好的控制氧氣電漿在製程操作的範圍內並不是一件容易的事，而且這項控制對於SPIMOX製程的發展將會有重大的影響。因此，本篇論文的重點，就是要找出在平面型感應耦合電漿系統中，最適合SPIMOX製程的氧氣電漿條件。在這篇論文的第四章中，我將利用各種氧氣電漿的參數，來了解與改善氧氣電漿的特性，以期有助於SPIMOX製程的發展。