Skip to content
Back
Thesis
提升具有氮化矽/二氧化鋯堆疊電荷儲存層之快閃記憶體元件操作特性研究
吳沛剛
Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
2016
Share
Export
Abstract
Related links
Metrics
Details
Abstract
快閃記憶體
電荷捕捉式記憶體
高介電係數材料
氮化矽工程
Flash
ChargeTrapping
High-K
Nitride
Memory
abstract hide
Related links
Metrics
1
Record Views
Details
Title
提升具有氮化矽/二氧化鋯堆疊電荷儲存層之快閃記憶體元件操作特性研究
Translated title
提升具有氮化矽/二氧化鋯堆疊電荷儲存層之快閃記憶體元件操作特性研究
Creators
吳沛剛
Contributors
張廖貴術 (Advisor)
Awarding Institution
國立清華大學, 工程與系統科學系; Masters
Theses and Dissertations
Masters, 國立清華大學, 工程與系統科學系
Language
Traditional Chinese
Resource Type
Thesis
Date published
2017
Show the rest
Details