Abstract
本論文以電子迴旋共振化學氣相沉積系統（ECR-CVD）研製摻氟的非晶系碳膜（fluorinated amorphous carbon film， a-C：F），作為低介電常數的材料。實驗發現，沉積a-C：F薄膜較佳的條件為：氣體流量: Ar/CH4/CF4 = 30/10/20 sccm、基板偏壓=-30伏特、微波功率=400~600 watts、基板溫度=50oC~100oC，薄膜有較低的介電常數值，約為2.2，而漏電流-電壓特性的檢測，顯示薄膜優良的介電特性。由薄膜的FTIR吸收光譜得知薄膜主要由CFn（n=1-3）的鍵結所構成，其中亦包含少量的C-H鍵結。在同一微波功率下，沉積速率隨基板溫度升高而降低，此乃因CFn原子團熱穩定性不佳，基板溫度愈高，愈不容易沉積，此結果也在碳氟化合物（CxFy）的熱脫附質譜分析中得到印證。熱脫附質譜的分析顯示a-C:F薄膜為親水性，且有氟原子的釋出。因此，以a-C:F 薄膜為介電層，覆蓋層（capping layer）是必要的，而所應用的覆蓋層能否抑制CFx原子團的解離，也需進一步探討。