Abstract
我們以 YBa2Cu3O7-δ摻銀 10%, 15%及 20%靶材，利用准分子雷射鍍膜，成長在24°雙晶鈦酸鍶基板上，經過光學製版及蝕刻後製作出晶界結(Grain Boundary Junction)。量測電壓—電流特性(I-V)結果可由電阻分流模型（RSJ model)來描述。在電阻—溫度特性的量測可觀察到熱激發相位跳躍(Thermally activated phase slippage)的現象。 由臨界電流與磁場的量測上我們可以得到宏觀的量子繞射現象，我們的樣品在 4.2K 時為 Long junction 的行為，當溫度越高時將轉變成 short junction 的行為表現，我們也藉由 MATLAB 來模擬出 Junction 上電流密度在空間上的分佈。 實驗結果發現摻銀 YBCO 的晶界結在 4.2K 時的臨界電流與未摻銀 YBCO 的晶界結一樣，並未有明顯的差異。