Abstract
本論文研究主要是將共軛導電性高分子應用在發光二極體上，以 MEH-PPV [ poly(2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)] 作為發光層材料，並分別以各種摻雜度之 PAn-CSA [ polyaniline - camphorsulfonic acid ] 以及 PEDT-PSS [ polyethylene dioxythiophene - polystyrene sulphonate ] 作為電洞傳遞層材料，利用光譜分析法（UV 及 PL）來獲得材料之光學性質，並將製作的二極體元件進行光電性質的分析，探討電洞傳遞層加入以及ITO 表面處理對於元件效能的影響；最後，進一步將製作二極體元件的技術應用在小型顯示器的製作上。 發光層材料 MEH-PPV 之 PL 最大放射波長位於 583 nm，為一橘紅光的發光材料，電洞傳遞層材料 PAn-CSA 之 UV 吸收波長主要在 402 nm 及 800 nm 以後之廣大吸收，所以在使用 MEH-PPV 作為發光層材料時並不會造成放射光被 PAn-CSA 吸收的情形；二極體元件在加入電洞傳遞層材料 PAn-CSA 及 PEDT-PSS 後，分別使元件之發光效率增加 0.7 及 1 倍，其中 PAn-CSA 使 ITO 與發光層間的能障由未加電洞傳遞層前的 0.228 eV 降低為 0.198 eV。而 ITO 表面經由 H2O2 + NH3 + H2O 處理過之元件，不論是單層或雙層元件，起始電壓及元件發光效率皆獲得改善。另外，利用不同摻雜度之 PAn-CSA 作為電洞傳遞層，探討其電子能帶結構的變化情形，摻雜程度越高之 PAn 其電子游離能IP值越小，且由穿遂理論所估算得的界面能障越小，此對於發光二極體在結構設計上非常重要。關於成功製作出數字型及英文字型高分子發光二極體顯示器的經驗，可作為往後顯示器製作上之參考，以期早日達到工業化生產之目標，對共軛導電性高分子在發光二極體上之應用有所貢獻。