Abstract
論 文 摘 要 由於金屬/鐵電層/絕緣層/半導體場效電晶體（MFIS-FETs）為結構所製作的鐵電記憶體，需要有高相對介電常數值，厚度薄的高品質絕緣層，因此製作合適的絕緣層將是MFIS研究的重要課題。本實驗利用原子層化學氣相沉積(ALCVD)製作的Al2O3薄膜來當作MFIS結構中的絕緣層，並且搭配摻雜釹的鈦酸鉍鐵電材料，來驗證此系統的效果。 實驗過程中又有比較不同厚度的鐵電層及絕緣層對記憶窗改變的比較，並且利用不同的熱處理方式在氧化鋁絕緣層上面鍍製不同介電常數的鈦酸鉍，同時比較鐵電層介電常數不同造成的記憶窗改變，發現記憶窗在鐵電極化主導的機制中，記憶窗寬度約等於鐵電層的兩倍矯頑電壓。而鐵電層若能分配到更多的壓降，鐵電極化機制所能主導記憶窗的範圍將越大，記憶窗寬度也會增加。 論文最後也對MFIS的保持力進行量測，經過了一萬秒之後，記憶窗仍能維持60%以上的水準。