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整合水平式奈米碳管於SOI晶片上實現微機電元件
Thesis

整合水平式奈米碳管於SOI晶片上實現微機電元件

林舜南
Masters, 國立清華大學, 奈米工程與微系統研究所
2013

Abstract

水平碳管 微機電製程技術 SOI晶片
奈米碳管擁有許多優異的材料特性,可以應用於不同研究領域上。近年來,水平碳管已為半導體產業備受矚目之内部導線材料,本研究利用提出之製程技術將水平碳管整合於於SOI晶片上,藉由微機電(Micro Electro-Mechanical System, MEMS)製程技術可將奈米級材料製作於微米等級元件上,實現具水平碳管之微機電元件,並完成元件在電性上的量測。本研究整合水平碳管於SOI晶片上,提出以下兩項研究目標。第一,利用半導體製程技術製作出微矽模具,藉以定義水平碳管的結構形狀 ; 第二,驗證本文提出之製程技術可批量化製作具水平碳管感測元件,並進而從量測結果探討本研究所成長之水平碳管的感測物理量特性。

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