Abstract
相位是分析晶體結構時一個最重要的必要條件之一，只要能有足夠多的相位，就可解出晶體的結構。本文主要的目的，乃在利用複繞射的技術來決定不變相位的值，我們在非對稱切割的晶面下––斜面，以已知結構之中心對稱矽晶為例，探討其對Ｘ光複繞射峰形及相位的變化，進而預言任意界面對複繞射的影響。本文共分六章，除第一章簡介外，第二章介紹相位及結構因子與晶體的關係；討論複繞射強度變化與不變相位之關連；以及產生複繞射的方法。第三章由動力繞射理論，解出兩光繞射與三光繞射的強度，以及如何由三光繞射的強度解出不變相位；最後將邊界條件用斜面代入求解。第四章是介紹實驗儀器的裝置，使用的晶體；以及實驗所得的繞射峰形與數據。第五章是分析、比較實驗與理論的結果。第六章將做個總結。由實驗我們發現不變相位及φo （產生三光繞射時，沿某倒晶格向量轉軸所須轉的角度）並沒有因界面的改變而有顯著的變化，而繞射強度雖受其影響甚鉅，但可由等效結構因子（effective structure factor）來了解變化的情形。由上述三點，雖然強度會因界面而變化，因慶幸的是不變相位主要是由繞射峰的峰形來決定的。於是當我們取得一塊晶體，不管形狀如何，只要它的完美度夠，我們用它來進行複繞射實驗，利用解得的不變相位，就能很輕鬆的解出ρ(r )，而得出晶體的結構。