Abstract
摘要 近年來由於積體電路製程的突飛猛進，連帶使半導體記憶元件的功能與集積度也隨著高度成長，以動態隨機存取記憶體 (DRAM, dynamic random access memory ) 所能儲存的容量來評斷積體電路製程的發展情況，預計到2001年隨機存取記憶體的容量將可以超越1Gb的規格。釕金屬及二氧化釕具有的低電導性 (ρRu = 16μΩ．cm, ρRuO2 = 35.2μΩ．cm) 及熱穩定性特質，為新型動態存取記憶體結構中電極材料的不二選擇 。在下世代使用的高記憶容量隨機存取記憶體原件組成架構中，以採用釕金屬與二氧化釕薄膜作為隔絕矽基板與高界電常數材料BST或PZT材料之擴散緩衝層、與導電底電極材料，以提高隨機存取記憶體的記憶容量與反應速度。 本篇論文為研究新型釕與鋨金屬前驅物的合成方法與性質探討，並使用化學氣相沉積技術來製備釕金屬與鋨金屬薄膜。在前驅物的合成方面，我們已經成功地利用高壓反應器 (autoclave) 合成出一系列具有揮發性且空氣下穩定的釕與鋨金屬化合物 (1)~(9)。 在釕與鋨金屬薄膜的製備方面，我們選擇具有高揮發性與高產率的化合物 Ru(CO)2(hfac)2 (3)、Ru(CO)2(thd)2 (6)、Os(CO)2(acac)2 (7)、Os(CO)3(hfac)(C2F3O2) (9) 為前驅物，利用簡易型冷壁式化學氣相沉積系統於低製程溫度 (350~400 °C) 的條件下，可以得到高品質的釕與鋨金屬薄膜。