Abstract
本篇論文為研究戊酮亞胺銅金屬錯合物的合成、性質探討與其在化學氣相沉積的應用。我們以K-10為催化劑合成出一系列戊酮亞胺類化合物1a、1b、2a、2b和3a，將這些化合物作成鈉鹽與氯化銅反應，可得到一系列具有高揮發性且在空氣下穩定的錯合物4a、4b、5a、5b及6a，這些錯合物的特性，如熱物理性質和X-ray繞射結構等，皆詳述於論文中。最後我們選取錯合物4a、5a和6a作為化學沉積的前驅物，以冷壁式反應器在SiO2的基材上沉積銅薄膜，於實驗進行中，我們觀察到錯合物5a具有選擇性沉積的特性，可以在具有SiO2圖形的Si基板上沉積出圖形化的銅膜。所有鍍製出來的金屬薄膜皆由掃描式電子顯微鏡、四點探針及ESCA進行分析和鑑定，並在論文中探討影響薄膜純度、表面形貌，和電性表現的原因。