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新型鎵與銦錯合物的合成及其化學氣相沉積
Thesis

新型鎵與銦錯合物的合成及其化學氣相沉積

王奕仁
Masters, National Tsing Hua University
2001

Abstract

化學氣相沉積鎵錯合物銦錯合物氧化鎵氧化銦 CVDgalliumindiumgallium oxieindium oxide
本篇論文在闡述四種鎵金屬錯合物、和兩種銦金屬錯合物的合成及其在化學氣相沉積上的應用。首先我們對金屬鎵和銦的基本性質及特性做了簡短的介紹,接著我們討論了氧化鎵及氧化銦的應用性並回顧文獻中利用鎵與銦金屬錯合物進行熱化學氣相沉積鍍製金屬氧化薄膜的例子。而在實驗部分的討論,主要分為合成步驟及鍍膜分析兩部份,我們詳盡的敘述了各錯合物的合成方法、結構解析和其物理性質,並對同系列錯合物的性質與優勢加以比較。在鍍膜的部份,我們利用熱壁式化學氣相沉積系統沉積了氧化鎵及氧化銦薄膜,針對兩種金屬氧化薄膜的成長行為、微結構、位向優選性和電性、純度、可見光穿透性等性質我們都做了深入的探討。

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