Abstract
微影製程(Window Photolithography)是產生IC佈局的製造過程，在整個 微影製程中容易發生擺盪效應(Swing Effect),近接效應(Proximity Effect)及機能窗(Process Window)等三個問題，這三個問題嚴重地影響 光阻影像的線寬與結構剖面，因而造成了線寬微距控制(CD Control Critical Dimension Control,)的偏誤,使得IC晶片品質不良。因此,為 了改善微影製程的條件,我們應用了田口玄一博士所倡導的穩健設計方法 (Robust Design) 來使整個微影製程達到穩健性,透過穩健設計來求取最 佳的可控制因子水準組合,使微影製程的機能特性對於雜音的敏感程度降 至最低,以改善影響線寬微距控制的三個問題。穩健設計方法與其他統計 實驗設計方法最大的不同在於 其運用內側直交表(可控直交表)(Inner Array) 與外側直交表 (誤差直交表)(Outer Array)來進行實驗及利用S/N 比作實驗分析，同時直交表實驗法提供了一個低成本高效益分析實驗因子 效果之方法，而S/N比則是製程變異的衡量