Abstract
脈衝調變式電漿源(pulse-time modulated )改變了高密度電漿的部分特性，在製程的應用上能增進蝕刻的選擇性並檢少電漿充電傷害的程度，本研究的目的在於利用本實驗室已有的離子能量分析儀(GEA)量測脈衝調變式電漿源，以及其硬體的改善，並以不同的方法量測CW模式電漿源系統。 在硬體的部分將作為電極的格網重新設計，格網中的每個孔徑中心都作相同位置的固定，減少因組裝時造成穿透率的影響，造成離子碰撞產生，並利用化學蝕刻的方法製程，以求格網的平整及孔徑的大小的要求。在量測方法上也以逐一送控制電壓於Control grid上取代以往送連續的三角波電壓，利用Matlab程式作數據的處理及一次微分的計算。 在CW模式電漿源的量測方面，因量測的方法的不同，所得到的結果可以看出，沒有外加射頻偏壓時，離子能量分佈的寬度縮小為10~20 eV，較舊的方法得到的結果為佳，且外加射頻偏壓於晶圓座時，可看到離子能量的分佈逐漸分開，取代以往依然是單一峰值的量測現象。 在TM模式的量測上，主要觀察離子能量分佈與時間的關係，在量測上必須注意訊號產生與擷取的時間，並藉由改變工作比例與調變頻率的大小，量到不同的離子能量分佈。量測結果發現，當工作比例較少及調變頻率較低時，離子能量分佈的變化較大，但必須注意電漿匹配組抗的問題，避免電漿系統不穩造成的量測誤差。