Abstract
論 文 摘 要本研究目的為研究以晶圓接合技術應用於絕緣層上矽結構Silicon On Insulator（SOI）的各項性質，探討不同製程條件對接合界面之物理性質，包括鍵結強度、殘留應力、殘餘電荷等的影響。本論文採用1000A和3500A兩種氧化層厚度，晶圓表面清洗方式則為親水性（SPM-M1）和斥水性（SPM-M2）兩種。經退火處理後之晶圓對，可發現其未鍵結區在退火後都可明顯縮小，且當氧化層愈厚時，其鍵結強度會隨之增加。同時，若經刀刃劈開之晶圓對，再次進行1000℃熱處理時，劈開之裂口將重新再癒合鍵結起來。另外，經歷過二次熱處理的SOI試片，其上層矽晶圓中，會殘留內壓應力，且當氧化層愈薄，殘留應力值會愈大。在SOI元件電性方面，可觀察到利用SOI製作MOSFET時，會比Bulk有較小的漏電流。由此實驗流程，可評估何種晶圓接合技術製作SOI時，可得到較佳之物裡性質，以利晶圓接合技術更廣泛地應用於微機電系統與積體電路系統中。