Abstract
本實驗目的為研究晶圓直接接合製程裡物理或化學鍵結機制，尋找適當之製程參數，以期能在微機電系統與積體電路系統中使用。並針對晶圓直接接技術製作矽晶圓-矽晶圓之接合，探討含水與不含水之黏著，晶圓表面OH-基的多少，與鍵結機械強度的相關性等，並探索在絕緣層上黏著時化學鍵結與物理鍵結的機制。本實驗執行可達下列成果：1. 建立拉伸式斷裂強度實驗，在絕緣層上矽晶圓以晶片黏著法施工後，鍵結強度評估方法。2. 建立紅外線吸收光譜實驗對預鍵結或鍵結後絕緣層上矽晶圓化學鍵種類之鑒別。3. 直接接合界面之截面蝕刻後，金相之討論。4. 三點彎曲機械實驗在晶圓以直接接合製程後，實驗結果之討論。