Abstract
吾人針對MOCVD 方法生長CdTe/GaAs 磊晶進行完整性的研究，期望能瞭解CdTe成長機構，俾能對日後磊晶發展技術提供更深一層的瞭解與幫助。本論文內完成之理論計算包括以熱力學原理分析MOCVD 製程條件與成品組成間之關係，並將點缺陷納入，以HgCdTe 為對象，計算結果與文獻相當吻合。成長實驗則包括基板晶向(100及111)，成長溫度、進料摩爾比等變收對成品結構、物性、電性等之影響，分析工具包括SEM,AES,PL,Hall,DCRC 等。
- Title
- 有機金屬化學氣相沈積法成長碲化鎘異質磊晶及其熱力學研究
- Translated title
- 有機金屬化學氣相沈積法成長碲化鎘異質磊晶及其熱力學研究
- Creators
- 廖瑛瑞 (Author)
- Contributors
- 周更生 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English