Abstract
砷化鎵磊晶的成長在光電及微波電子元件上是非常重要的。有機金屬氣目沈積法具有簡單及多樣性的懮點。因此愈來愈受重視。基於此法甚具發展的價值，故進行這項有機金屬氣相沈積砷化鎵磊晶的研究，並期將來能擴展至其他磊晶之成長與電子元件的製造。本實驗室採用垂直反應管系統，利用二支一千瓦的燈管為加熱源，以三由基鎵及氫化砷分為作為鎵及砷的來源。在600 ℃到690 ℃，[As]/[Ga] 莫耳比從2 到9 ，都可得到表面明亮如鏡的磊晶，磊晶的成長速率與[As]/[Ga] 無關。磊晶層皆為負型，其載子濃度從5.7×1015cm-3 到1.2×1018cm-3 ，可動率從720cm2V-1S-1到2540cm2V-1S-1 。較佳的成長範圍在600℃?620℃，[As]/[Ga]=4?6這個範圍間。載子抵銷比率從0.51到0.86，此高低銷比率歸因於不純的氫化砷（純度99.5％）所造成。另外，深層能階的暫態頻譜分析顯示有兩個電子陷阱，一個在Ec－0.86ev處，一個在Ec－0.56ev處。在不同情況下成長的磊晶中都發現了Ec-0.86ev 這個重要的電子陷阱。