Abstract
焦電現象為物質本身具有的自發極化量隨溫度變化而不同，當溫度改變即會感應出焦電電流。選用鈦酸鉛鑭（pb1-xLaxTi1-x/4O3，簡稱PLT）焦電薄膜來製作元件，具備可在室溫下操作、反應時間快、穩定性好、大的波長範圍均可操作的優點。PLT材料為鈦酸鉛加入計量之La元素，除了會降低鈦酸鉛的居禮溫度外，並可有效補償鉛空位造成漏電流減少。而有基金屬裂解（metal-organic decomposition，簡稱MOD）鍍膜法則具備了大面積鍍膜、化學計量比容易控制、價格便宜、製程簡單且重現性高的優點。 本實驗以MOD法成功的製備了PLT焦電薄膜，在600℃即可得到鈣鈦礦結構，且XRD未發現明顯雜相。薄膜的Pr值最高達到12.6μC/cm2，焦電係數為5.4×10-8 C/(cm2•T)。利用EDS檢測萍膜成份發現，薄膜在600℃即有鉛揮發現象，而且當鉛含量越多時，此現象越明顯。就自發極化量來說，高溫與長時間退火有助於Pr值提昇，爐管退火比RTA熱處理之Pr值高。由SEM觀察發現退火後薄膜表面產生微裂縫，應是漏電流產生的主因。而增加鑭含量可降低漏電流但Pr值也會降低。過量鉛添加能提高Pr值，但並不能使漏電流減小，反而在計量比成份時有較好的表現。