Abstract
本實驗利用有機金屬鹽裂解法（MOD）製作Pb(Zr1-xTix)O3鐵電薄膜，及LaNiO3氧化物導電薄膜做為PZT的緩衝層；探討不同製程參數與組成比例對薄膜特性的影響。 以MOD法製得的LNO薄膜結晶性不好，且表面有細微裂縫，RTA800℃退火測得的電阻率為17.2mΩ-cm.，於LNO薄膜上繼續成長PZT(52/48)薄膜其Pr=9.87μC/cm2, Ec=80.7kV/cm，比PZT/Pt Pr=11.8μC/cm2, Ec=76.0kV/cm的表現為差；但PZT/LNO的抗疲勞性比PZT/Pt還好。 探討組成的影響，發現過量鉛的添加比例在小於8mol%時，薄膜表層會形成一低介電常數的缺鉛層，使薄膜特性變差；但鉛過量在12mol%以上時則會有二次相析出在晶界在晶粒內，使得薄膜Pr值偏低，高Ec值及大漏電流。最佳的鉛過量值為10mole%，可得到Pr=12.0μC/cm2, Ec=109.4kV/cm，於600kV/cm電場下漏電流僅2×10-7A/cm2。 改變Zr-Ti比例，晶格常數亦隨之改變，發現c-a比越大，其Ec值越大，但Pr值仍以MPB附近的薄膜組成較高，其原因可能是兩相共存造成可極化的方向增加。實驗的結果以Zr-Ti比為60/40時最佳，其Pr=24.1μC/cm2, Ec=78.1kV/cm。