Abstract
本研究欲發展改良型欄柵太陽能電池，結合兩種便宜的蝕刻技術（KOH化學粗化法與電化學蝕刻法），成功的製作出新型結構之矽基板，具優良的抗反射效果與多的表面積，應可用來當作太陽能電池基板，以提升光的捕捉效應與增加pn介面的面積。因此，本論文主要討論蝕刻參數對基板形貌的影響，以及基板形貌與反射率的關係。並製作出電池，討論不同基板形貌對電池電性的影響。 KOH化學粗化過的金字塔結構根據形貌與分佈大致分可為微小金字塔、完美金字塔與鬆散金字塔結構。因此，當電化學蝕刻成長多孔矽於鬆散金字塔表面時，可觀察到同時具有三種結構形貌之新型太陽能電池基板：金字塔、金字塔表面的多孔矽與金字塔周圍的多孔矽深溝渠結構。多孔矽深溝渠結構成功的蝕刻於金字塔的交界處，且分佈均勻，溝槽間距由金字塔的寬度決定約10µm左右，可避免高溫擴散n+射極時因間距太窄而失去pn介面。且與傳統只用KOH化學粗化法的單晶矽太陽能電池基板相比，反射率由11%~12%降至4%~5%，表面積增加約至少2.5倍以上。 比較不同基板形貌對電池電性的影響，多孔矽基板製作出的太陽能電池，Jsc有明顯的上升，效率有提升的趨勢。