Abstract
使用一種斜角蒸鍍陰影效果製作出二相八筆(bit) 次微米的埋伏式通道電荷耦合元件，從此設計到製作的原理與要點都討論到，並且如此製作出來的成品可以成功地操作，其傳輸的不完全率由在200 K 赫芝操作下的8.36×10﹣□增大到在I M 赫芝操作下的6.12×10﹣□，並可經由理論予以合理解釋。
- Title
- 次微木二相電荷藕合元件之設計與製作
- Translated title
- 次微木二相電荷藕合元件之設計與製作
- Creators
- 刁國棟 (Author)
- Contributors
- 林敏雄 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English