Abstract
在本篇論文的研究中，以離子佈植穿透金屬法及兩步驟的快速退火處理，完成低電阻係數的 C54 相二矽化鈦，薄層電阻達到 1.37 Ω/□，薄層電阻量測及縱切面穿透式電子顯微鏡、縱切面高解析電子顯微鏡的照相結果顯示二矽化鈦由 C49 相轉為 C54 相，並利用鋁 / 鎢化鈦 / 二矽化鈦/ p+ 矽擴散區的系統，做出交叉橋式凱文接觸電阻測試結構，其特定電阻值約為 5 ~ 6.5×10-7 Ω-㎝2。而在高密度電流 ( 2E6 A/㎝2 )的燒試部分，由於焦耳熱效應及電子遷移效應的重疊影響，使得接觸電阻隨著燒試的時間增加，且電流方向的不同，對接觸電阻的可靠性也有不同的影響，當電子流方向由鋁到矽時，其接觸電阻的退化幅度比電子流由矽到鋁時來得小，而且接觸的面積愈小影響愈大，因此隨著元件愈做愈小的趨勢，接觸面積也會愈做愈小，除了降低接觸電阻的考量外，接觸電阻在高電流燒試或長期使用下，其可靠性也是愈來愈值得研究的課題。我們同時也發現，鍍金屬製程技術的好壞，對次微米接觸的影響甚鉅，不只會提高接觸電阻，且會進而影響接觸電阻的可靠性，這對於次微米接觸及多層金屬間的連接 ( via )，都是必須小心考慮與研究的。本論文共分六章：第一章簡要介紹本論文的研究背景; 第二章說明本研究中所使用的關鍵技術及原理; 第三章介紹實驗流程; 第四章討論實驗結果; 第五章為總結及未來展望。