Abstract
本篇論文主要的研究方向在於以解析的方式來建立一個更簡單的元件模型，用來模擬次微米及深次微米金氧半場效電晶體其汲極電流－電壓的特性，這元件模型是從二維波森方程式（Poisson’s equation）和使用能量平衡方程式(Energy balance equation)開始發展的。 使用現在這個元件模型，我們能夠很清楚地看出，由於通道長度的縮短使得汲極電流上升，導致在比較短的通道長度下，有著一個大的通道平均遷移率。這模型的準確性已經藉由許多種不同尺寸的金氧半導體元件的實驗數據來驗證了。並且與MEDICI這套模擬軟體的模擬結果互相比較。 這個元件模型其物理性質是顯而易見的，在通道的源極末端處的過速度效應(velocity overshoot effect)是重要的，且應納入深次微米金氧半場效電晶體的考慮範圍。由於它的簡單化，使得這個元件模型被證明是可以很容易在VLSI / ULSI的設計上去執行電路的模擬。