Abstract
在此篇論文中，我們將制造出N 通道的LDD 型金氧半場效電晶體及傳統型的金氧半場效電晶體元件。在制作上述元件時所用的相關模組技術如一微米的照相顯影技術, R-IE復晶，氧化層及金屬蝕刻技術，薄氧化閘層技術及磷硼玻璃技術等都被說明，其中磷硼玻璃技術將會特別地詳細研究。在磷硼玻璃技術的研究中，將用ESCA, FTIR及SEM 來探討磷硼玻璃在沈積后經過高溫的整流角度效應。實驗的結果顯示出較長停留時間將造成較大的整流角度。同時在不同環境下的整流條件也會造成整流角度的不同。從ESCA及FTIR光譜圖顯示整流角度的改變是由於磷硼玻璃表面化學鍵結的改變。如果適當的磷硼玻璃沈積后處理，將會得到好的整流角度，如此將可避免下一步金屬沈積的斷盄。上述制作出來的元件將被用來作1/f 雜訊的分析。N 通道LDD 及傳統型的場效電晶體在盄性區域的1/f 雜訊理論均在本篇論文中被推導并且比較。LLD 場效電晶體的1/f雜訊理論是建立在將場效電晶體分成三區域－－N 源極, N 汲極, 及本質場效電晶體本身。1/f 雜訊測量結果顯示理論與實驗結果十分相合，而且LDD 場效電晶體的雜訊比起傳統型場效電晶體元件要小，其原因是在於LDD 元件中N 區域上電壓降不可忽略的原故。