Abstract
本文乃針對離子佈植氟化硼系統中氟對矽晶所產生之影響作一探討，基質取（００１）及（１１１）方向之矽晶，表面上分別有３５及５４微米之氧化物，做４３KeV 氟離子佈植於６００至１１００℃每隔１００℃分別做３０分鐘退火，再做穿透式電子顯微鏡之缺陷析，另一方面（００１）及（１１１）分別選取３種不同溫度及各段時間退火，再做側向試片之電子顯微鏡非晶層厚度變化之量測，求取同一厚度，於３個不同溫度的速度值（成長速度），將３個速度取自然對數再對絕對溫度的倒數作圖一次的曲線，則其斜率之絕對值為此非晶至結晶相之再成長速度之活化能，以上兩方面研究所得主要結果如下：（００１）試片，６００℃火為點缺陷集，７００℃退火則成長小差排環，分佈於原先非晶與結晶相之界面，且非晶層皆再結晶完畢，８００℃則類似７００℃者，而差排環稍變大，９００℃退火亦然至１０００℃退火。差排環不見，而有氣泡長於原來之非晶與結晶相之界面及氟離子佈植後，濃度最高的區域分成兩帶狀分佈１１００℃者與１０００℃一樣。（１１１）試片的退火研究可察到主要為雙晶結構，其下一有一層沒有缺陷之再結晶層，氣泡則可於９００℃即觀察到。再成長速度之活化能經量測為３．０及２．８電子伏特，分別於（００１）及（１１１）試片，值得一提的是於不同成長厚度做活化能量測，其值皆相近，顯示其成長機構無太大變化，且與氟化硼佈值之再成長活化能３．１電子伏特很相近，故知氟化硼中氟原子為主導因素。