Abstract
本研究以VLS熱蒸鍍法合成出氧化銦錫奈米線，藉由改變製程溫度、氧氣的流量及來源粉末不同比率三種參數，觀察合成出之氧化銦錫奈米線形貌以及性質上的差異，尋找出最佳的奈米線製程參數後，而後將此合成出的奈米線進行光學、光觸媒特性分析並比較不同錫摻雜量之間的關係。以場發射電子顯微鏡(FESEM)分析不同製程溫度及氧流量下的奈米線形貌，在溫度偏高、氧流量太小及太大的情況下，會影響奈米線的成長及形貌，最佳狀況為700 C以及氧流量4.5 sccm下合成出高密度的奈米線，奈米線線徑約為200-300 nm，線長約為10 m。X光粉末繞射儀(XRD)及穿透式電子顯微鏡(TEM)確認奈米線的結構為單晶的立方鐵錳礦 (Cubic Bixbyite) 結構，不會受持溫溫度及粉末比率等製程參數而改變。紫外光可見光(UV-vis)光譜圖中觀察隨錫摻雜增加，吸收峰先往長波長之後往短波長偏移，推測錫摻雜量偏高時奈米線轉變為簡併型半導體。經由紫外光可見光光譜圖和 Tauc 關係式求出氧化銦錫奈米線的光學能階，發現光學能階隨摻雜少量的錫增加而減少，隨著摻雜過多的錫增加而增加。光觸媒特性中，少量的摻雜錫進入奈米線，可有效提升光觸媒效率，但在較高的錫摻雜量下，因奈米線會轉變為簡併型半導體，使光觸媒效率降低。